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美国发起“芯片战”,我国提高半导体自给率,

作者:admin 发布时间:2020-08-02

参考消息网7月8日报道外媒称,希望实现半导体国产化的中国企业正迅速扩大融资规模。中国正竭尽全力提高半导体自给率。

据《日本经济新闻》7月7日报道,中国半导体自给率仅为10%多一点,而占据全球市场较高份额的智能手机和面向新一代通信网络5G的设备,却使得中国具有很大的国际影响力。如果美国为在高科技领域遏制中国崛起,把中国赶出半导体市场,那么中国不仅会在上述产品的生产上遭遇困难,很可能还会在中美霸权之争中处于劣势。

日本经济新闻社根据中国民间数据库数据、企业公告和媒体报道内容,统计了半导体相关企业的股票融资金额情况。2020年截至7月5日的融资额达到1440亿元人民币,约半年时间就大幅超过2019年全年的融资额(约640亿元人民币)。

报道认为,究其原因,美国发起的“芯片战”使中国政府产生了危机感。中国通信设备企业中兴通讯2018年因美国特朗普政府实施禁运制裁而受到冲击。华为技术公司在采购最先进的半导体方面也遇到麻烦,很难进口部分半导体制造设备。

报道称,中国中央和地方政府相继设立旨在实现半导体国产化的半导体基金,开始向中国企业投资。

中国于2014年设立政府系半导体基金——国家集成电路产业投资基金,到2019年完成了1400亿元人民币的投资。2019年秋国家集成电路产业投资基金二期成立,从2020年开始进行投资。上海市和北京市也设立基金,中央和地方正联手支持半导体国产化。

报道称,一个具有代表性的例子是中国大型半导体代工企业中芯国际集成电路制造有限公司。中芯国际本月在科创板上市,或可融资500亿元人民币。公司还获得22.5亿美元(1美元约合人民币7.03元——本网注)的融资。

美国集成电路研究公司预测,到2024年中国半导体自给率可达20%以上。该公司的数据还显示,截至2019年12月,中国台湾、韩国、日本的半导体生产能力位居世界前三,中国大陆排名第四,但已超过美国。中国大陆可望在2020年排名第三,2022年升至第二位。

另据美国消费者新闻与商业频道网站7月7日报道,中国大型芯片制造商中芯国际7日启动价值达462.8亿元人民币的股票发行活动。

这是该公司最初融资目标的两倍多。随着投资者的兴奋之情在中芯国际于上海上市前与日俱增,其在香港上市的股票价格大涨。事实上,该公司港股在过去5天里上涨约26%,今年迄今累计上涨逾200%。

报道称,中国雄心勃勃地想要提高芯片自给率,中芯国际据认是该行动的关键参与者。本轮融资可能有助于中芯国际赶超竞争对手台积电和韩国三星电子。

中芯国际将以每股27.46元人民币的价格初步发行16.8562亿股。如需求较高,承销商可将发行股票总数增至19.38463亿股。如果超额配售选择权获全额行使,中芯国际可能筹资532.3亿元人民币。

报道称,美国迪罗基公司的数据显示,此次股票发行活动是中国内地10年来规模最大的一次。

第三代半导体又称宽禁带半导体,禁带宽度在 2.2eV 以上,主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。相较于以硅(Si)、锗元素(Ge)代表的第一代和以砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)为代表第二代半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点和优势。被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、新一代移动通信、消费类电子等领域,被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术。宽禁带半导体,已成为美国、欧洲、日本半导体行业竞相重点研究的方向。

第三代半导体材料除包含碳化硅、氮化镓之外,还有氧化锌、金刚石、氮化铝等半导体材料。但氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。业界也普遍更看好碳化硅和氮化镓市场前景。据预测,到 2022 年,碳化硅和氮化镓功率器件的市场规模将达 40 亿美元以上,年均复合增长率可达45%,届时将催生巨大的应用市场空间。

在政策上,我国政府主管部门高度重视第三代半导体材料及相关技术的研究与开发。从 2004 年开始对第三代半导体技术领域的研究进行了部署,并启动了一系列重大研究项目。2013 年科技部在“863”计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及其应用列为重要内容。2015 年和 2016 年国家科技重大专项都对第三代半导体功率器件的研制和应用进行立项。2016年国务院发布的面向2030的6项重大科技项目和9大重大工程中,第三代半导体是“重点新材料研发及应用”重大项目的重要部分。2016年12月,国务院成立国家新材料产业发展领导小组,加快推进新材料产业发展;2017年2月,国家新材料产业发展专家咨询委员会成立;2017年6月,第三代半导体产业技术创新战略联盟组织编辑2030国家重点新材料研发及应用第三代半导体版块实施方案。

在投资方面,当前国内的半导体产业投资基本上进入了国家主导的投资阶段,加上大基金的成立开启了一轮国内投资半导体的热潮,无论是政府资金,还是产业资本都纷纷进入这个领域,多地已逐步发展成为第三代半导体产业特色集聚区。

在碳化硅方面,天科合达、山东天岳、中电集团二所等初步实现4英寸碳化硅单晶衬底材料量产,并开发出6英寸样品;泰科天润、世纪金光、中电五十五所、十三所等多家企业和机构已实现600-3300V的碳化硅肖特二极管量产,处于用户验证阶段;中车株洲时代电气、国家电网联研院、厦门三安等企业建设了6英寸碳化硅电力电子器件工艺线;扬杰科技的碳化硅芯片技术已达到国内领先水平。

在氮化镓方面,中电十三所已形成系列化氮化镓微波功率器件和MMIC产品,并被华为、中兴用于进行基站研发;苏州纳维、东莞中镓具备2-4英寸氮化镓单晶衬底材料的供货能力;苏州能讯、苏州晶湛、江苏能华、杭州士兰微、江苏华功半导体均已进入布局氮化镓电力电子材料和器件;三安集团也已建设氮化镓射频器件工艺线。海特高新通过其子公司海威华芯开始建设6英寸的第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线,项目建设规模:砷化镓半导体芯片(6寸)40000片/年,氮化镓半导体芯片(6寸)30000片/年。

由于第三代半导体材料及其制作的各种器件的优越性、实用性和战略性,未来,由碳化硅、氮化镓材料制成的半导体功率器件将支撑未来节能技术的发展趋势,成为节能设备最核心的器件,许多发达国家将第三代半导体材料列入国家计划,全面部署,竭力抢占战略制高点。我们在看到半导体产业政策和资金的支持下,涌现出了一大批相当有技术实力的企业,并且在部分领域在逐渐缩小与日、美、欧的差距的同时。也应该清晰地认识到,由于中国开展碳化硅、氮化镓材料和器件方面的研究工作起步比较晚,与日本、欧美等国相比整体水平上还有很大差距,我国在碳化硅、氮化镓材料的制备与质量等问题,特别是原始创新问题,亟待破解。